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ST意法半导体发布GaN半桥器件:内置驱动器和两颗氮化镓

充电头网编辑部 充电头网 2021-07-21


ST意法半导体发布了一款先进的系统级功率封装器件,并命名为MASTERGAN1,器件内部集成GaN栅极驱动器和两个GaN开关管,拥有650V耐压和150mΩ导阻,并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计


一、ST推出双核氮化镓功率器件

 


MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V,导阻150mΩ的高压GaN开关管,集成在9*9*1mm的QFN封装内,工作电流10A,低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管,内置互锁功能,且具有准确的内部定时匹配。支持工业级宽温。


 

MASTERGAN1通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元件数量,同时其走线方便布局设置,可实现灵活简洁快速的设计。

 

二、ST最新MASTERGAN1技术优势

 

 

MASTERGAN1封装视图,正负极及开关脚靠边缘布置,露铜与引脚延伸帮助散热,便于PCB布线设计。

 


ST意法半导体的MASTERGAN1支持LLC和ACF应用,对最近兴起的大功率应用有很好的支持。配合初级控制器,可以简化适配器设计,由两颗开关管和驱动器组成的半桥,改为一颗器件取代,大大减小适配器初级元件数量和面积。

 

充电头网总结

 

ST意法半导体MASTERGAN1对于LLC或者ACF适配器,意义重大。这颗器件内部集成驱动器和LLC或者ACF适配器所需的两个GaN开关管,9*9mm的封装乍看起来不小,但是相比起两颗DFN5*6的MOS管加上一颗3*3的驱动,加上外围元件,占板面积还是要小很多的。使用集成器件有助于提高适配器功率密度。同时内置驱动器的GaN器件,有助于减小寄生效应,减小振铃,提高效率和可靠性。

 

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